SiC膜厚1μm±100nm）的规模化生产。 国家第三代半导体技术创新中心（南京）：成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术。 上海汉虹：使用自行研发制造的碳化硅长晶炉成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体。 8月28日，青禾晶元官微宣布，他们在绝缘体上 ...

Practically, MOSFETs called "trench type" have been found to be the most promising, and in this device structure, it is necessary to form the core oxide film/SiC interface not on the SiC wafer surface ...

在产品技术方面，Wolfspeed早在2011年率先发布了世界上第一款SiC MOSFET——CMF20120D，凭借诸多优势特性，成为了电力电子开关电路的理想选择，打破了 ...

在2024第二季度财报会议上，安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury提到，安森美在SiC市场占据主导地位，为中国近60%的碳化硅车型提供SiC产品，而他们今年的碳化硅营收涨幅要高于市场增速的2倍。 在今年纯电车型增速放缓的大背景下，安森美将如何保持碳化硅 ...

Aiming at vehicle traction, Infineon has put a pair of 3,300V 1,000A 1.9 mΩ silicon carbide trench mosfets into its 100 x 140 ...

In this section, the basic physics of operation of the power MOSFET will be described with the aid of the vertical DMOS structure. The same concepts are applicable to the Lateral MOSFET structure as ...

日前，搭载了罗姆（总部位于日本京都市）第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团（以下简称“吉利”）的电动汽车（以下称 ...

RF9x120BKFRA / RQ3xxx0BxFRA / RD3x0xxBKHRB – featuring low ON-resistance ideal for a variety of automotive applications, ...

SCT4018KR is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and low power consumption of applications. This is a 4th generation product that achieves industry ...

原标题：我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术：历时 4 年自主研发，打破平面型芯片性能“天花板” IT之家 9 月 3 日消息，“南京发布 ...

ROHM's SiC MOSFET Bare Chips Extend EV Cruising Range and Improve Performance Santa Clara, CA and Kyoto, Japan, Aug. 29, 2024 (GLOBE NEWSWIRE) -- ROHM Semiconductor today announced the adoption of ...