在解答关于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的问题时，特别是针对P沟道、100 A、60 V的MOSFET，我们需要关注几个关键参数：沟道类型（P沟道或N沟道）、最大连续漏极电流（id）、以及最大漏源电压（vds）。这些参数对于理解和选择适合特定应用的MOSFET至 ...

通过自对准平面技术获得，可以降低导通损耗，提高开关性能，增强雪崩能量 该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和提高效率 平台声明：该文观点仅代表作者本人，搜狐号系信息发布平台，搜狐仅提供信息存储空间服务。

柜台买卖中心第11届第3次董事监察人联席会议通过久昌(6720)、博弘(6997)、大井泵浦(6982)股票上柜申请案。久昌科技公司主要从事霍尔磁性感测器(Hall IC)、电源管理IC(Power IC)及金属氧化物半导体场效电晶体IC(Mosfe ...

常见的简单电源切换电路如图1所示，但这个电路应用条件是有限制和缺陷的，比如电池电压VBAT不能大于外部电压VIN，常见的电池电压为3.7~4.2V，外部电压为USB的5V时没有问题，但是电池电压为7.2V就不能使用了； (关注公众号：硬件笔记本） ...

柳纪纶表示，大客户首套High NA设备已预定下个月抵台，其中艾司摩尔秀出的High NA光阻液分析，即是由汎铨利用低温原子层镀膜技术（LT-ALD）所做的材料分析；我们的策略就是选择最先进高阶的那一块市场，在「材料分析」，我们可以很有底气地说，一定会继续领先；以下是专访 ...

目前为止，我们现有的使用消费类产品大部分停留在USB-PD 3.0的时代。 接口方面，当下USB-C即type C接口以其正反插即可、可通大电流的同时还能实现数据传输的优势稳居市场占有量最大。 广告 一、手机充电技术的发展历史及现状 USB-PD，英文全称为USB Power ...

由于没有稳压器能在输出端生成高于输入端的电压，在图2a中，用于为合并电路V OUT1 和V OUT2 供电的 V OUT1 最大功率(P=V×I) 为1.65 W，得出此数值的前提 ... 一般来说，如果控制器IC的功率MOSFET是置于裸片之中（即是整片式的），该IC的焊盘通常外露，以便散热。

宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 4 月23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。Vishay Siliconix ...

发布者：LIGANG888来源: eefocus关键字：STM8控制 4位LED 数码管显示手机看文章 扫描二维码 BusBoard Prototype Systems非常重视企业文化和团队建设。公司倡导创新、协作、务实的精神，鼓励员工积极参与公司的各项活动。同时，公司还定期组织各种培训和学习活动，提升 ...

资料显示，无锡新洁能股份有限公司位于江苏省无锡市新吴区电腾路6号，成立日期2013年1月5日，上市日期2020年9月28日，公司主营业务涉及MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售,公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。最新年报主营 ...

P系列国产电流源4A精密直流源汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达30A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。PXOOB系列源表适用于各行各业使用者，特别适合现代半导体、纳米器件和材料 ...