常见的简单电源切换电路如图1所示，但这个电路应用条件是有限制和缺陷的，比如电池电压VBAT不能大于外部电压VIN，常见的电池电压为3.7~4.2V，外部电压为USB的5V时没有问题，但是电池电压为7.2V就不能使用了； (关注公众号：硬件笔记本） ...

IT之家 9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET ...

缺点是当电流被限制在靠近 P 体区域的狭窄 N 区中，流过时会产生 JFET 效应，增加通态电阻，且寄生电容较大。 平面型与沟槽型碳化硅 MOSFET 技术 ...

9ULednc 电池供电由Q1控制，Q1是一个反向p-MOSFET。U1将所有输入电压降至3.3V。在没有外部电源的情况下，Q1的栅极比其源极更负，因此它始终处于导通状态，并且(几乎)在C3上实现完整的电池电压，为升压转换器供电。Q2的发射极-基极二极管阻止任何电流流回U1。

进行TEM观察时，就需要汎铨独特的低温ALD形成保护膜来保护，在分析的时候能够不变形，能够维持原来的样貌。另外，为了降低后段金属绕线的RC delay，最先进的半导体制程，採用越来越低K值的Low K材料来做绝缘层，也因为这样Low K材料内充满空隙，在离子束与电子束进行样品切割及观察时，会造成材料的高度减少，这样的人为误差，会造成制程研发人员的误判。

柜台买卖中心第11届第3次董事监察人联席会议通过久昌(6720)、博弘(6997)、大井泵浦(6982)股票上柜申请案。久昌科技公司主要从事霍尔磁性感测器(Hall IC)、电源管理IC(Power IC)及金属氧化物半导体场效电晶体IC(Mosfe ...

作为有源区的量子阱位于中央，p型和n型的禁带宽度都比有源区大，这样在通过p型和n型材料分别注入空穴和电子后，载流子可以被限制在有源区。此外，在进行激光器的加工工艺时，通常会在一侧刻蚀出脊形结构然后在脊形两侧沉积介质薄膜（Si0 2 ）。这样在 ...

新型 AOCR33105E 采用最新沟槽功率 MOSFET 技术设计，共漏极结构，简化客户设计。 它具有超低导通电阻和 ESD 保护，可提高保护开关和移动电池充电和放电电路等电池管理的性能和安全性。作为首颗应用MRigidCSP™ 新型封装技术，实现在降低导通电阻的同时提高CSP ...

随着人工智能和大数据技术的飞速发展，对算力和存储的需求日益增长。传统的计算架构逐渐显露出局限性，这促使学术界和产业界开始探索新的计算架构和信息器件。在后摩尔时代，铁电晶体管（FeFET）作为一种新型的信息器件，因其在存储和计算领域的潜在应用而备受关注。

前言： 在追求极致性能的PC硬件圈里，AMD推出的ZEN 5处理器与X870E/X870芯片组主板将会是性能追求者的新宠。尤其是近期发布AMD ZEN5架构 锐龙9000系列处理器的发布，可以 ...

拿游戏来说，最近《黑神话：悟空》非常的火爆，那么如何才能组建一台畅玩这类3A大作的电脑呢？别急，今天就来一场攒机实战，看看我选择的硬件是怎样的，装起来又会是怎样的。

在充满挑战的市场环境中，MagnaChip Semiconductor Corp的股价触及52周新低，达到4.42美元。这一显著下跌反映了该公司的整体趋势，过去一年其股价已下跌47.66%。投资者正密切关注MagnaChip的表现，因为半导体行业面临供应链中断和需求波动等多重压力。公司能否成功应对这些逆风将是决定其未来几个月财务健康状况和股价恢复的关键。 在其他近期新闻中，Magnachip Se ...