在解答关于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的问题时，特别是针对P沟道、100 A、60 V的MOSFET，我们需要关注几个关键参数：沟道类型（P沟道或N沟道）、最大连续漏极电流（id）、以及最大漏源电压（vds）。这些参数对于理解和选择适合特定应用的MOSFET至 ...

提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至6V的操作 平台声明：该文观点仅代表作者本人，搜狐号系信息发布平台，搜狐仅提供信息存储空间服务。

碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。 平面碳化硅 MOS 结构的特点是工艺简单，元胞一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被限制在靠近 P 体区域的狭窄 N 区中，流过时会产生 JFET 效应 ...

IT之家 9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET ...

日前，搭载了罗姆（总部位于日本京都市）第4代SiCMOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团（以下简称“吉利”）的电动汽车（以下称“EV”）品牌“极氪”的“X”、“009”、“001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起，这款功率模块经由罗姆和正 ...